دانلود تحقیق در مورد حافظه DRAM :: مقاله پروژه تحقیق

دانلود تحقیق در مورد حافظه DRAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل : .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 15 صفحه

قسمتی از متن .doc :

‏1

‏پروژه شماره 2

‏عنوان پروژه ‏: DRAM‏ (گذشته ، امروز ، آینده)

‏مقدمه :

‏همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM‏ یا Dynamic Random memory‏ می باشد که این DRAM‏ ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing‏ ، infrastueture‏ ، Entertainment‏ و infocom‏ و جاهای دیگر صنعتی.

‏برای ساخت DRAM‏ در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM‏ ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP‏ استفاده شده است و به ساختار DRAM ‏ های 1k‏ و 4k‏ و 16k‏ و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM‏ ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM‏ با استفاده از SO1‏ (Silicon on islatnr‏) می باشد .

‏بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM‏ ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1‏ و کاربرد آن در DRAM‏ می باشد .

‏1

‏2

‏شرح پروژه :

‏قسمت اول , ‏ساختمان و خصوصیات DRAM‏ :

DRAM‏ در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory‏ است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP‏ تشکیل شده است .

DRAM‏ ها دارای خصوصیاتی از جمله Read‏ و Write‏ هستند . اساس سلول DRAM‏ از نظر Cross-Section‏ و Layout‏ در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area‏ می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM‏ ها ذکر شده است که عبارتند از :

‏1-Stacked cell(Expand up)‏ : طبق شکل

‏2-Trench cell(Expand Down) ‏ : طبق شکل

‏همانطوریکه گفته شد DRAM‏ می تواند عمل Read‏ و Write‏ را انجام دهد .

‏برای عمل write‏ باید bitline‏ یا در حالت high‏ باشد یا low‏ و word line‏ باید از موقعیت high‏ باشد .

‏اما برای عمل Read‏ bitline‏ در وضعیت precharge‏ است تا ولتاژ halfway‏ شود (یعنی حالت high‏ و Low‏) و باز هم Word Line‏ در وضعیت high‏ است .

‏در DRAM‏ یک AMP‏ حسی داریم که وضعیت charge‏ را آشکار می کند و این Charge‏ به خازن وابسته است .

‏1

‏3

‏توجه به این نکته ضروری است که DRAM‏ ها به refresh‏ نیاز دارند (برعکس SRAM‏ ها) زیرا دارای جریان نشتی هستند . همچنین آدرسها در DRAM‏ به 2 قسمت تقسیم می شود :

1-RAS (Row Access Strobe)

2-Cas (Column Access Strobe)

‏پارامترهای کلیدی Timing‏ در یک DRAM‏ :

‏1-‏ : کمترین زمان از Ras Line‏ تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان مثلاً برای یک 4Mb DRAM‏ حدوداً 60ns‏ است .

‏2-‏: کمترین زمان از شروع یک row Access‏ تا شروع بعدی که این زمان برای یک 4Mbit DRAM‏ با ‏ تقریباً ‏ است .

‏3-‏ : کمترین زمان از CAS Line‏ تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان برای DRAM‏ 4Mb‏ با ‏ حدود ‏ است .

‏4-‏ : کمترین زمان از شروع یک Column Access‏ تا شروع بعدی است . که این زمان هم برای یک 4Mbit DRAM‏ با ‏ حدود ‏ است .

‏طراحی DRAM‏ :

‏در شکل ها row address‏ و Column address‏ و RAS‏ و CAS‏ و data out‏

دانلود فایل >>>

سایر محصولات :
دانلود تحقیق در مورد حافظه DRAM

دانلود تحقیق در مورد...